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P-I特性曲线测量

文章出处: 责任编辑:www.auto-fm.com 发表时间:2014-11-20

P-I特性曲线测量

一、实验目的

1.了解发光二极管的发光原理;
2.了解发光二极管平均输出光功率与驱动电流的关系;
3.掌握发光二极管P-I曲线的测试及绘制方法。

二、实验设备

1.THKGT-2型 多媒体光纤通信传输实验仪一台;
2.20MHz示波器一台;
3.光功率计一只。

三、实验原理

1. 半导体发光二极管工作原理、特性及应用
(一)LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向?截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。
      
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。??理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。 
(二)LED的特性
1.极限参数的意义 
(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的值。超过此值,LED发热、损坏。
(2)正向直流电流IFm:允许加的的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
(3)反向电压VRm:所允许加的反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。 
(4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。
2.电参数的意义
(1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示。由图可见,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强,该波长为峰值波长。
(2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。
(3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔。
(4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为视角(或称半功率角)。
图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与发光强度的之比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。
    
(5)正向工作电流If:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
(6)正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。
(7)V-I特性:发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压,反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。
2.在实验中所用到的半导体激光器为agilent公司的HFBR-1414THFBR-1414T为高性能的半导体通信光源输出波长为820nm,ST接口。
3.光功率与注入电流曲线的关系见图1-4所示。
 
图1-4 功率与注入电流的曲线

四、实验内容与步骤

1. 关闭实验箱电源,将光发送模块中的输入模拟信号幅度调节电位器RW1和偏置电流调节电位器RW2顺时针旋转到底,使模拟驱动电流和输入信号幅度达到最小值;
2. 从接收端连接器中取出光跳线插头,与光功率计连接;
3. 打开实验箱电源,打开光功率计电源,调节光功率计波长为820nW;
4. 缓慢调节电位器RW2,依次观察发送光强度表头的显示和对应的光功率计的光功率值。并将测得的数据填入下表; 
序 号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16      17 18
I(mA) 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90
P(nW)                                    
P(dBm)                                    
5. 实验完毕,关闭实验箱电源,连接好光跳线,整理实验箱。

五、实验数据

整理实验数据。画出光功率与注入电流的关系曲线,分析曲线的意义。

六、注意事项

1. 由于光源、跳线及光源的ST插头属易损件,应轻拿轻放,切忌使用力气过大。
2. 在实验时不要把光纤对准自已和别人的眼睛,因为这样可能造成眼睛性损伤。

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